高真空CVD炉

应用与结构

用于受控温度、压力和配气条件下的化学气相沉积。不同反应源、基材与沉积材料需分别设计。

• 气体流量、压力与反应区流场共同控制
• 反应源与副产物决定管路、泵组和尾气材料
• 表面薄膜沉积与预制体CVI增密分别确定方案

选型需确认的条件

材料名称与形态、最高工作温度、有效区、装料量、工作气氛、真空、升温与保温要求，以及现场供电、冷却水和气源条件。